“Kirishma nanobirikmalari bo‘lgan yarimo‘tkazgichli GaAs-Ge qattiq qorishmalarining olinishi, tuzilishi va fizik xossalari” mavzusida
Abduraximov Dilxayotjon Po‘latjon o‘g‘lining «Kirishma nanobirikmalari bo‘lgan yarimo‘tkazgichli GaAs-Ge qattiq qorishmalarining olinishi, tuzilishi va fizik xossalari» mavzusidagi 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) ilmiy darajasini olish uchun yozilgan dissertatsiya ishi himoyasi Namangan muhandislik – texnologiya instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04 raqamli Ilmiy kengashning 2023 yil 7 dekabr kuni soat 10:00 dagi majlisida bo‘lib o‘tadi.
Manzil: Namangan shahri, 160115, Kosonsoy ko‘chasi, 7-uy, Namangan muhandislik – texnologiya instituti, 3-bino, 2-qavat, Ilmiy kengash majlislar xonasi.
Tel.: +998 69 228 76 75; +998 69 228 76 71; Faks: +998 69 228 76 71
e-mail: niei_info@edu.uz